德州仪器半导体制造(成都)有限公司集成电路封装测试生产项目二期厂房及附属设施工程项目环境影响报告表pdf
德州仪器半导体制造(成都)有限公司集成电路封装测试生产项目二期厂房及附属设施工程项目环境影响报告表.pdf
德州仪器半导体制造(成都)有限公司集成电路封装测试生产项目二期厂房及附属设施工程项目环境影响报告表.pdf
想预览更多内容，点击免费在线预览全文
建设项目环境影响报告表 （公示本） 项 目名 称：集成电路封装测试生产项目二期厂房及附属设施工程 建设单位(盖章)： 德州仪器半导体制造 （成都）有限公司 编制日期：2018年3 月 《建设项目环境影响报告表》编制说明 《建设项目环境影响报告表》由具有从事环境影响评价资质的单 位编制。 1. — 30 ( 项目名称 指项目立项批复时的名称，应不超过 个字 两个 英文字段作一个汉字 。) 2. — 建设地点 指项目所在地详细地址，公路、铁路应填写起止终 点。 3. — 行业类别 按国标填写。 4. — 总投资 指项目投资总额。 5. — 主要环境保护目标 指项目区周围一定范围内集中居民住宅 区、学校、医院、保护文物、风景名胜区、水源地和生态敏感点等， 应尽可能给出保护目标、性质、规模和距厂界距离等。 6. — 结论与建议 给出本项目清洁生产、达标排放和总量控制的分 析结论，确定污染防治措施的有效性，说明本项目对环境造成的影响， 给出建设项目环境可行性的明确结论。同时提出减少环境影响的其它 建议。 7. — 预审意见 由行业主管部门填写答复意见，无主管部门项目， 不填。 8. — 审批意见 由负责审批该项目的环境保护行政主管部门批复。 建设项目基本情况 （表一） 项目名称 集成电路封装测试生产项目二期厂房及附属设施工程 建设单位 德州仪器半导体制造 （成都）有限公司 法人代表 李崧 联系人 张睿 8-8 8-10 通讯地址 成都市高新西区综合保税区科新路 号及 号 联系电话 传 线 建设地点 成都市高新西区综合保税区科新路8-8号及8-10 号 川投资备 立项审批 成都高新区经济运行 批准文号 【-41-03-2354 部门 和安全生产监管局 81】FGWB-1231号 行业类别 建设性质 扩建 集成电路制造 （C397） 及代码 占地面积 绿化面积 12901m2 0m2 (平方米) (平方米) 其中：环 总投资 环保投资占总 105600 保投资 610 0.58% (万元) 投资比例 (万元) 评价经费 预期投 — — (万元) 产日期 工程内容及规模： 一、 项目背景与任务由来 随着电子信息产业的迅速发展，作为电子信息产业的核心技术--半导体集成电路的设 计和制造的发展已成为必然趋势。其深远影响，不但已渗透到国民经济的各个领域，而且 已被公认为是评估一个国家综合国力的重要指标。受益于扶持政策，随着我国经济的持续 发展，电子信息产业已经发展成为国民经济和社会发展的头部大支柱产业，在整个国民经 济中发挥着极为重要的作用，而集成电路产业则是其中的重点和亮点。 为了加快信息产业发展进程，我国各级政府都把集成电路产业作为重点支持和扶持的 行业，制定和颁布了许多特殊优惠政策，为集成电路及相关企业创造良好的发展环境。作 为全球发展速度蕞快、潜在市场蕞大的国家，鼓励发展的产业政策及大量高素质的技术人 才，使我国很快成为全球芯片半导体生产的加工生产中心之一。 德州仪器有限公司 （TexasInstruments，简称TI）是全球领先的半导体公司，可提 供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、 教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国德克萨斯州的达拉斯，并在25多个 1 国家和地区设有制造、设计或销售机构。TI 自1986年进入中国大陆以来，一直高度关注 中国市场的发展。在北京、上海、深圳及香港设立了办事处及技术支持队伍，提供许多独 特的产品及服务，包括DSP和模拟器件产品、硬件和软件开发工具以及设计咨询服务等。 2010年9月13 日，四川省发展和改革委员会以“川发改外[2010]882号”文 （《关 于核准德州仪器香港有限公司并购及增资成都成芯半导体有限公司项目的批复》）原则同 意德州仪器香港有限公司 （TI子公司）收购成芯公司。2010年10月，并购顺利完成，并 在成都高新区西部园区成立了“德州仪器半导体制造 （成都）有限公司”（以下简称 “德 州仪器成都公司”），形成了德州仪器成都公司集成电路制造厂。 2013年，德州仪器成都公司收购了中芯国际集成电路制造 （成都）有限公司土地所 有权、厂房及其设施，形成了德州仪器成都公司封装测试厂，并实施了德州仪器半导体制 造 （成都）有限公司集成电路封装测试生产项目。 目前，德州仪器集成电路制造厂现有工程规划设计满产产能为8英寸芯片60万片/ 年 （含前工序），12英寸晶圆凸点加工1540片晶圆/天；封装测试厂现有工程满产产能 为年封装测试32.5亿只/季度。 为适应市场需求，德州仪器半导体制造 （成都）有限公司拟投资105600万元人民币 实施集成电路封装测试生产项目二期厂房及附属设施工程项目，在现有厂区预留空地内新 建一栋封装测试生产厂房，以满足后期生产扩能使用；同时配套建设部分公辅设施，包含 改扩建废水处理站，氮气氢气混气站，纯水处理站，停车场以及餐厅，新建一座连廊连接 现有封装测试厂房与本项目新建的封装测试厂房等，项目建设不涉及生产线安装及产品生 产。 按照 《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国环境影响评价法》、《建设 项目环境保护管理条例》、《建设项目环境影响评价文件分级审批规定》（5号令)和 《建 设项目环境影响评价分类管理目录》等有关法律法规，本项目应编制环境影响报告表，并 报送环境保护主管部门审批。为此，德州仪器半导体制造 （成都）有限公司特委托信息产 业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司进行环境影响评价工作。接受委托后，评 价单位充分研读有关文件和资料后，通过对该项目的工程分析和对建设地区环境现状及影 响的监测、调查、评价，编制出本环境影响报告表。 2 二、 项目产业政策的符合性 本项目为外商投资项目，属于模拟、数模集成电路的制造配套厂房设施的建设，因此 本项目属于 《外商投资产业指导目录(2015年修订)》鼓励类第二十二类 “计算机、通信和 其他电子设备制造业”第246条 “集成电路设计，线 纳米及以下大规模数字集成电 路制造，0.11 微米及以下模拟、数模集成电路制造，MEMS 和化合物半导体集成电路制 造及BGA、PGA、CSP、MCM 等先进封装与测试”中的内容，项目的建设符合国家现 行产业政策。 三、 规划符合性分析 （1）与成都市城市总体规划符合性分析 根据 《成都市城市总体规划 （2003-2020年）》可知，在用地布局方面，成都市将以 中心城 （外环路以内）为核心，沿放射道路走廊式轴向发展 （即沿放射道路两侧发展）， 同时打造六个城市组团（新都－青白江、龙泉驿、华阳、双流、温江、郫都），重点向南、 北、东三个方向发展。 《总规》要求将城市核心区打造成为辐射西部地区的现代化商务、 商业中心；将其行政办公、居住、高等教育等功能向外疏解；同时，中心城工业向外迁移， 在六个片区形成工业集中发展区，重点强化成都高新区、成都经济技术开发区。 本项目位于成都高新区，故与 《成都市城市总体规划 （2003-2020年）》相符。 （2）与成都高新技术产业开发区规划符合性分析 根据《成都市人民政府办公厅关于优化工业布局规划、促进产业集约集群发展的通知》 （成办发[2009]51号）可知，为进一步优化成都市工业产业布局，深化产业定位，促进 产业集约集群发展，构建成都现代工业产业体系，成都市将统筹产业布局规划，坚持“全 域成都”理念、坚持集约集群发展原则、坚持关联发展原则、坚持 “一区一主业原则”。 按照“一区一主业”相关要求，成都高新技术产业开发区重点支持电子信息、生物医药制 造业及相关生产性服务业，重点发展领域为软件服务、集成电路、光电显示设备及器件制 造、通信设备等。本项目拟建厂房用于集成电路先进封装测试，属园区重点发展的领域， 故项目建设符合成都高新技术产业开发区“一区一主业”规划要求，与成都高新区的产业 发展规划相符。 德州仪器现有厂区用地性质为工业用地。本项目在德州仪器现有厂区内实施，不新增 土地，不改变厂区原有用地性质，属于集成电路封装测试配套工程，后期拟引入产线 有工程一致，因此本项目与高新区用地规划相符。 综上，本项目符合相关规划要求。 四、 选址合理性分析 本项目在德州仪器成都公司现有厂区内建设。现有厂区选址于成都高新区，南临成灌 高速公路，交通方便。 1、项目外环境关系 项目南临成灌高速路南辅道，南面为富士康南区项目，再以南主要以在建和拟建的电 子信息类企业为主，同时配套有高新西区员工宿舍，宿舍距离项目厂界蕞近距离约1500m； 本项目北面为待建空地，再以北距离本项目北厂界约450m 处为四川托普职业技术学校， 约470m 处为中芯国际生活配套区；东面为宇芯 （成都）；西面为成都维顺柔性电路板有 限公司 （目前已停产）；西北为达迩科技 （成都）有限公司。 2、敏感保护目标分析 就项目所在地外环境关系而言，环境保护目标为中芯国际生活配套区、四川托普职业 技术学校、电子科技大学清水河校区、高新西区员工宿舍及万景峰住宅区和上锦颐园住宅 区等，其中电子科技大学清水河校区、高新西区员工宿舍及万景峰住宅区和上锦颐园住宅 区距本项目均于1公里以外，受项目新建影响非常小，故本次评价重点关注中芯国际生活 配套区、四川托普职业技术学校。就重点评价对象而言，均位于本项目上风向，且距离本 项目厂界均在450m 以上，不会对本项目构成制约因素。 本项目的环境影响主要在施工期，由于项目距离周边环境敏感保护目标较远，项目施 工期对周边环境保护目标影响较小。本项目所建厂房后期引入的封装测试线项目建成投产 后，废水经厂内处理达标后排入综合保税区市政污水管网，进入高新西区污水处理厂进一 步处理后排入清水河，项目产生的废气经处理后达标排放，后期引入产线项目另行评价。 中芯国际生活配套区、四川托普职业技术学校位于本项目的上风向，受本项目影响较小。 电子科技大学清水河校区和高新西区员工宿舍位于本项目的下风向，但距离本项目较远， 受到项目影响也较小。综上，本项目不会对周边环境敏感保护目标造成明显影响。 3、园区配套基础设施及产业规划符合性分析 项目位于成都高新区西部园区，园区供水、排水、供电、供气及光纤、电缆等基础设 施完备，为项目建设提供了良好的平台。 根据前述规划符合性分析，成都高新区西部园区重点支持产业为电子信息、生物医药 4 制造业及相关生产性服务业，重点发展领域为软件服务、集成电路、光电显示设备及器件 制造、通信设备等。本项目为集成电路配套厂房设施建设项目，周围区域有成都英特尔、 成都TCL 生产基地、长虹OLED 等电子类项目，均为高新技术、低污染的电子类生产企 业。本项目与周围大部分企业同属电子类生产企业，是相容的。 综上所述，本项目符合规划，外环境无明显制约因素，园区基础设施完备，选址基 本合理。 五、 工程建设内容概况 1、建设内容 本项目总投资105600 万元，在现有厂区预留空地内新建一栋封装测试生产厂房，以 满足后期生产扩能使用；同时配套建设部分公辅设施，包含改扩建废水处理站，氮气氢气 混气站，纯水处理站，停车场以及餐厅，新建一座连廊连接现有封装测试厂房与本项目新 2 2 建的封装测试厂房等，新建建筑面积为50684m ，改建建筑面积为5000m 。 注：本项目环评内容仅为工业厂房及配套设施等建构筑物主体的修建和建筑内部装 修、地坪防渗、预装生产辅助设备的安装，不涉及生产设备的安装及在线调试，无实质 生产内容，对于后期生产扩能项目，须委托有资质的环评单位另行环评。 本项目主要建设内容如表1-1所示。 表1-1 本项目建设内容 占地面积 建筑面积 改扩建面积 编号 建筑物名称 层数 建设内容 2 2 2 （m ） （m ） （m ） 封装测试厂二 新建 （） 1 4 12701 50234 N / （ ） CDAT2 天桥连廊 新建 （） 2 2 / 400 N / 芯片厂房二 数据中心装修 3 4 12827 44163.2 360 （ ） （） FAB B D 餐厅厨房装修 4 办公楼 3/4 6823.7 40136.7 2000 （D） 办公楼餐厅扩 5 1 197 197 餐厅扩建 （E） 197 建 6 混气站 1 173.6 173.6 更新 （R） 20 锅炉房 装修 （） 7 1 741.07 741.07 D 741.07 （ ） CUB5b 变电站 更新 （） 8 4 932.3 2625.3 R 0 柴油机房 更新 （） 9 1 1176 1372 R 0 10 动力站房 3 3327 10983 更新 （R） 0 5 （ ） CUB5c 动力站房 更新 （） 11 3 3360.3 11410.1 R 3000 （ ） CUB5d 新建标准停车位 12 停车场 / 7780 200个 2、项目组成 项目组成及主要环境问题见表1-2。 表1-2 项目组成及主要环境问题 可能产生的环境问题 名称 建设内容及规模 施工期 营运期 新建，占地面积：12701平方米 封装测试厂 建筑面积为 平方米，共 ，高度 50234 3F 房二 23.8米，采用钢筋砼框架结构。 主体 （CDAT2） 拟用于后期封装测试生产扩能。 工程 连接现有封装测试厂房 （CDAT1）与本项 天桥连廊 目新建的封装测试厂房 （CDAT2） 位于芯片厂房二 （FAB B），更细数据管 数据中心 本项 目只进行 理系统，翻修地下数据通信管线) 施工期间 建构筑修建，内 产生施工废 混气站 新增氮氢气体混合系统3套。 部翻新、设备的 水、施工机 安装，不进行设 封测厂区废水站，新增非饮用水储罐，一 械、车辆废 备在线M 的生 气、噪声、建 实质生产内容， 3 （CUB5a） 产废水收集罐，1个20M 的污泥沉淀储 筑垃圾等； 营运期环境问 3 罐，2 个20M 的超滤渗透水储罐。 (2) 局部水土 题待后期扩能 公用 增加AT废水处理系统，包括超滤回收系 流失。 锅炉房 项目另行环评。 3 辅助 统1套，设计处理能力为150m /h，絮凝 （CUB5b） 3 工程 沉淀系统1套，设计处理能力为45m /h。 动力站房 集成电路厂废水站，无建设内容。 （CUB5c） 动力站房 新增DI 去离子水处理系统，设计处理能 3 （ ） 力为125m /h。 CUB5d 变电站 更新，连接 10KV 线缆至现有开关站 更新，连接 10KV 线KV 应急 柴油机房 开关站 6 办公 及生 对现有餐厅进行翻新改造，同时扩建餐厅 办公楼餐厅 活 197m2，扩建后能同时容纳2200 人就餐。 设施 新增标准停车位200个，扩建后全厂停车 其他 停车场 位合计440个。 3、主要原辅材料及能耗 1-3 项目涉及使用的主要原辅材料和能源消耗情况见表 。 表1-3 主要原辅材料及能耗情况表 名称 消耗量 来源 钢材 220 吨 水泥 540 吨 主 （辅） 沙石 1100 吨 外购 料 外墙涂料 20m3 塑钢窗 800m2 4、主要设备 本项目生产设备无国家限制使用或淘汰的设备，符合国家相关产业政策要求，项目安 装主要生产设备如表1-6所示。 表1-6 主要仪器设备一览表 设备名称 型号/规格 数量 备注 低温冰机 / 2 中温冰机 / 4 冷却塔 / 6 一般排风设备 / 5 工艺线 废水处理微多介质过滤器 / 2 新风系统 / 9 变电站 / 2 空压机 / 6 氮氢气体混合系统 / 3 废水处理超滤系统 / 6 废水处理压滤机 / 2 5、公用工程及辅助设施 本项目不涉及生产内容，公用工程及辅助设施仅对给排水及供配电进行简要介绍。 7 ①给排水 A、给水 给水系统包括生活给水系统、生产给水系统与消防给水系统。 给水水源为城市自来水，建设场地四周均铺设有市政给水管网，自来水通过城市自来 水管网供给，采用双路供水，水压为0.1Mpa，即从厂区附近市政给水干管分别引两条DN 300mm 的给水引入管进入厂区，在厂区内部形成环网。环状管网上设置室外消火栓、绿 化用洒水栓，并向动力厂房的生产水池、消防贮水池、生活贮水池等供水。 B、排水 厂区排水体制实行雨污分流制： 1、雨水经厂区雨水管网汇集后排入园区市政雨水管网； 2、生产废水经厂区内生产废水处理站处理，生活污水经预处理池、隔油池预处理后 进入生活污水处理站处理；分别由公司集成电路厂生产废水总排口、封装测试厂废水总排 口（生活污水和封测厂生产废水分别处理后经封测厂废水总排口外排）排入高新西区市政 污水管网，由园区污水厂处理后蕞终排入清水河。 本项目施工期废水沉淀后回用，施工期生活污水经厂区生活污水处理站处理后排入市 政污水管网进入高新西区处理厂处理后排入清水河。 ②供电 全厂设计装设容量100MVA，设2 路10KV 专用电源，一路柴油发电机供电回路。 在厂区内设置由110KV 高压变电站，由供电局引入专线，在厂区内的变电站转换为 10KV，供应FAB 厂房和CUB 动力站使用。专线为双电源供电、两路电源供电方式拟采 用 “同时供电、互为备用的热备用方式”。 应急电源：为对一类负荷中的特别重要负荷供电，除设UPS供电外，并设3 台380V、 1600KVA 自备柴油发电机组作为应急电源。 六、 项目总平面布置合理性分析 本项目在现有厂区规划预留空地上新建封装测试厂房二，以预备后期封装测试生产扩 能使用，其他建设内容均在原建构筑物内翻新改造。本项目建设不改变全厂原有总体规划 布局，封装测试厂房二位于封装测试厂区，西与集成电路厂区FABA 相邻，东与封装测 试厂房一相邻，北与办公楼相邻，南与动力厂房等公用辅助设施相邻，公用辅助设施均布 8 置于厂区主导风向下风向靠近成灌高速一侧，全厂各功能分区明确、间距合理、工艺流程 顺畅、管线短捷，在生产厂房布局时满足工艺流程，也满足功能分区要求及运输作业要求。 综上分析，项目建设不改变全厂原有总体规划布局，总图布局合理，项目总平面布 置见附图4 。 七、 工程总投资 本项目总投资105600 万元，全部由企业自筹。 八、 项目实施进度安排 本项目计划于2018年9 月进场开始施工期建设，预计至2020年9 月竣工交付使用， 整个工程建设期预计为24 个月。 9 九、 现有工程回顾 本次回顾性评价主要分析德州仪器成都公司现有工程，包括集成电路制造厂和 封装测试厂的情况： 1、集成电路制造厂 （原成芯半导体） 2010年9 月13 日，四川省发展和改革委员会以“川发改外[2010]882 号”文（《关 于核准德州仪器香港有限公司并购及增资成都成芯半导体有限公司项目的批复》） 原则同意德州仪器香港有限公司 （TI 子公司）收购成芯公司。2010 年 10 月，并购 顺利完成。 目前，集成电路制造厂已完成12 个项目的环境影响评价，其中 （2）、 （3）未 实施，如表2.1-1所示。 2、封装测试厂 （原中芯国际成都） 2013年，德州仪器成都公司收购中芯国际集成电路制造 （成都）有限公司 “土 地使用权、厂房及相关厂房设施”后，在中芯国际成都 （UTAC）厂区内实施了集成 电路封装测试生产项目。 本次凸点电镀废水处理的改造仅涉及项目 （9）和项目 （12）。 I 现有工程项目概况 收购成芯半导体前，集成电路制造厂项目包括8英寸芯片厂项目、8英寸芯片厂 二期项目和MEMS （微机械电子系统）3个项目。德州仪器收购成芯半导体后，决 定停止实施8英寸芯片厂二期项目和MEMS （微机械电子系统）项目，并在8英寸 芯片厂项目的基础上先后进行了几次技改或扩能。 德州仪器目前项目具体介绍如下： （1）8英寸芯片厂项目 8 英寸芯片厂项目为成都成芯公司已经建成的月投片量20000 片的8 英寸 0.35-0.18μm 集成电路芯片代工生产线。成都成芯公司集成电路制造厂总建筑面积 2 2 99473m ，建筑占地面积31351m ，建设有生产厂房、动力厂房、建筑服务系统、 工艺服务系统、环保与安全消防设施、生产服务与管理设施等。 2005年10 月，信息产业电子第十一设计研究院编制完成《成都成芯半导体制造 有限公司8英寸芯片生产厂项目环境影响报告书》，同年12 月，原国家环保总局以 “环审[2005]1011号”文批复同意该项目建设。 2008年7 月，中国环境监测总站编制完成了 《成都成芯半导体制造有限公司8 10 英寸芯片生产厂项目竣工环境保护验收监测报告》，同年9 月，环境保护部以“环验 [2008]190 号”函同意该项目通过竣工环境保护验收。 （2）8英寸芯片厂二期项目 成都成芯半导体制造有限公司8英寸芯片厂二期项目，拟在一期工程2 万片/月 的基础上，新增8英寸芯片5 万片/月的投片量，扩能后集成电路制造厂生产能力将 达到8英寸芯片7 万片/月。2007年5 月，信息产业电子第十一设计研究院有限公司 编制完成了 《成都成芯半导体制造有限公司8英寸芯片生产厂二期项目环境影响报 告书》，同年取得原国家环保总局批复同意该项目建设。 成芯二期项目仅完成土建工程，德州仪器收购成芯后未实施该项目。 （3）MEMS （微机械电子系统）项目 成都成芯半导体制造有限公司MEMS （微机械电子系统）项目计划从已投产的 2 万片/月中调整出10000 片用作MEMS芯片生产。 2008年12 月，信息产业电子第十一设计研究院有限公司完成《成都成芯半导体 制造有限公司MEMS （微机械电子系统）项目环境影响报告书》，并于2009年4 月 27 日取得成都高新区环境保护局批复 （成高环函[2009]25号）同意该项目建设。 德州仪器收购成芯半导体后未实施该项目。 （4）德州仪器集成电路技术改造项目 德州仪器集成电路技术改造项目在原成芯半导体8英寸芯片项目基础上，增加 部分工艺，提升产品性能，投片量由2 万片/月提升到2.1万片/月。产品规格仍为8 英寸，制程0.35-0.13μm，产品用于电源管理芯片。 2011年8月，信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司编制完成 了《德州仪器半导体制造（成都）有限公司集成电路技术改造项目环境影响报告书》， 同年取得高新区城市管理和环境保护局批复同意该项目建设。该项目于2013年4 月 16 日成高环字[2013]184 号通过竣工环境保护验收。 （5）德州仪器集成电路技术改造项目增加LBC3/4产品 德州仪器集成电路技术改造项目（增加LBC3/4 产品）在原来FabA 厂房内新增 2 台机台，技术改造2 台机台，在集成电路技术改造项目每月2.1万片的产能中，调 整2000 片用于LBC3/4 产品的生产，但总产能不新增。 2012 年5 月，信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司编制完成 了《德州仪器半导体制造 （成都）有限公司集成电路技术改造项目（增加LBC3/4 产 11 品）环境影响报告书》，同年取得高新区城市管理和环境保护局批复 （成高环字 [2012]154 号）同意该项目建设。该项目于2013年4 月16 日成高环字[2013]183 号通 过竣工环境保护验收。 （6）德州仪器集成电路技术改造项目中增加V-diode产品 该项目在德州仪器成都公司集成电路技术改造项目每月2.1万片的产能中，调整 3000 片用于V-diodo产品的生产，但总产能不新增。 2013年1月，信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司编制完成 了《德州仪器半导体制造（成都）有限公司集成电路技术改造项目项目中增加V-diode 产品环境影响报告书》，同年2 月取得高新区城市管理和环境保护局批复 （成高环 字[2012]154 号）同意该项目建设。该项目于2014 年8 月26 日成高环字[2014]379 号通过竣工环境保护验收。 （7）德州仪器半导体制造 （成都）有限公司餐厅工程 该项目取消德州仪器原有位于办公楼四楼的员工餐厅，移到一楼的办公区重新 装修为员工餐厅。由原来配餐改为自行做餐方式，餐厅装修后就餐人员包括集成电 路厂现有工作人员580 人，和部分封装测试厂员工。新的员工餐厅可满足600 人同 时就餐，包含厨房，就餐区，并新增西餐厅、咖啡区、小卖部及卫生间。 2013年3 月，信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司编制完成 了《德州仪器半导体制造（成都）有限公司集成电路技术改造项目项目中增加V-diode 产品环境影响报告书》，同年4 月取得高新区城市管理和环境保护局批复 （成高环 字[2013]171号）同意该项目建设。该项目于2014 年4 月29 日成高环字[2014]151 号通过竣工环境保护验收。 （8）集成电路封装测试生产项目 该项目总投资97760 万元人民币，收购中芯国际集成电路制造 （成都）有限公 司“土地使用权、厂房及相关厂房设施”后，在中芯国际成都 （UTAC）厂区内实施， 形成集成电路年封装测试39.24 亿只的生产能力。该项目环境影响报告书于2013年 11月取得 《成都高新区城市管理和环境保护局关于德州仪器半导体制造 （成都）有 限公司集成电路封装测试生产项目环境影响报告书的批复》（成高环字[2013]549号）， 分两阶段分别于2015年4 月和2017年5 月完成竣工环境保护验收。 （9）12英寸晶圆凸点封装测试项目 2014 年，德州仪器成都公司投资9.76 亿元人民币新增243 台设备，建设12 英 12 寸晶圆凸点加工项目。项目实施后，德州仪器成都公司将新增凸点加工 （Bumping） 12 英寸晶圆18.25 万片/年，以及 12 英寸晶圆级芯片尺寸封装 （WCSP）13 亿只/年 的集成电路生产能力。晶圆级芯片尺寸封装 （WCSP）是目前所有封装形式中所占体 积蕞小的封装形式，它是真正意义上的芯片尺寸封装，是在凸点加工 （Bumping）完 成后，在划片前，直接在晶圆上完成所有的封装工作，封装的尺寸即为芯片的尺寸。 凸点加工（Bumping）是为了形成凸点结构，以便进行晶圆级芯片尺寸封装（WCSP）， 属于芯片制作的后工序。项目拟在集成电路制造厂FabB 建设凸点加工生产线，在封 装测试生产厂AT 建设晶圆级芯片尺寸封装生产线 月，信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司编制完成 了 《德州仪器半导体制造 （成都）有限公司12 英寸晶圆凸点封装测试项目环境影响 报告书》，同年5 月取得高新区城市管理和环境保护局批复（成高环字[2015]188号） 同意该项目建设。该项目目前正在建设中。 （10）晶圆扩能项目 该项目总投资13.5亿人民币，项目建成达产后集成电路制造厂实现5万片/月（60 万片/年）的生产能力。该项目在原集成电路制造厂8英寸芯片生产线万片/月）扩能，并调整原有产品结构，不新增产品种类，不增加新工艺。该项目 由信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司进行了环境影响评价，于 2015年7 月6 日取得了 《四川省环境保护厅关于德州仪器半导体制造 （成都）有限 公司晶圆扩能项目环境影响报告书的批复》 （川环审批[2015]347 号），目前正在建 设中 （已建成2.5 万片/月产能，拟分期验收）。 （11）晶圆背面粗糙化工艺改造项目 该项目投资额1100 万元人民币，在现有FabA 生产厂房二楼新增1 台背金工艺 生产设备，满足FET 系列部分产品对晶背粗糙度的要求，增加晶背厚度，同时将现 有背金工艺中晶圆背面粗糙化环节的产能进行提升，但蕞终产品8英寸晶圆的产能 不会增加。该项目于2017年4 月1 日取得成都高新区城市管理和环境保护局关于德 州仪器半导体制造 （成都）有限公司 “晶圆背面粗糙化工艺改造”项目《环境影响 登记表》的备案通知 （成高环字[2017]133 号），项目目前正在建设中。 （12）晶圆凸点封装测试项目技术改造 （增加HotRod工艺） 该项目总投资7554 万元，在凸点加工厂房 （FAB B）内新增7 台设备，在封装 测试厂房 （AT）内新增13 台机台，在 “12 英寸晶圆凸点封装测试项目”现有12 英 13 寸晶圆产品产能中，调整3.65 万片/年用于Hot Rod 凸点加工；在 “封装测试项目” 现有QFN 产品产能中，调整272 百万颗/年用于含Hot Rod制程的QFN 产品的生产， 不新增产能。该项目于2017 年9 月13 日取得 《成都高新区环境保护与城市综合管 理执法局关于德州仪器半导体制造 （成都）有限公司晶圆凸点封装测试项目技术改 造 （增加HotRod工艺）环境影响报告书的批复》 （成高环字[2017]322 号），项目 目前正在建设中。 （13）凸点加工及封装测试生产扩能项目 该项目总投资413160万元人民币，拟在成都高新西区科新路8号附8号，8 号 附10 号现有厂房内建设，增加凸点加工和封装测试生产设备，同时配套建设相关公 用辅助及环保设施。扩能完成后，凸点产能将由现在的500 片晶圆/天扩能到1540 片晶圆/天，封装测试产能将由现在的13.06亿只/季度扩能到32.5亿只/季度。该项目 正在进行环境影响评价。 14 表2.1-1 现有集成电路制造厂项目建设进程回顾 9 12 12 （） 英寸凸 （ ）晶圆凸点封装测 （1）8英寸芯片 （2）8英寸芯 （4）集成电 （6） （7）餐厅工 （8）集成电路封装测试 （11）晶圆背面粗 （13）凸点加工及封装 3 MEMS 5 LBC3/4 10 项目名称 （） （） 点 （ ）晶圆扩能项目 试项目技术改造（增加 厂 片厂二期 路技改 V-diode 程 生产项目 糙化工艺改造 测试生产扩能项目 项目 Hot Rod工艺） 总投资 （万 21.87亿人民币 33.6亿人民币 1.3亿元 1300 万元人民 300 万元人 1200万元人 9.76亿元人民 2057人民币 97760 万元人民币 13.5亿人民币 1100 万元人民币 7554 万元人民币 413160 万元人民币 元） (2.7亿美元) (4.31亿美元) 人民币 币 民币 民币 币 产品规格 8英寸芯片 8英寸芯片 8英寸芯片 8英寸芯片 8英寸芯片 8英寸芯片 / 12 英寸芯片 8英寸芯片 8英寸芯片 12英寸芯片 12 英寸芯片 在 “12 英寸晶圆凸点 满足FET 系列部分 封装测试项目”现有 拟新增凸点加 不改变现有产品规格 在现有厂房内建设，扩 产品对晶背粗糙度 12 英寸晶圆产品产能 从已有2.1 工12 英寸晶圆 （产品规格为8英寸、 能后凸点产能将由现 从一期2 万 的要求，增加晶背 中，调整3.65 万片年/ 18.25 / 0.35-0.13 m 500 / 从已有2.1万片 万片/月调整 万片年， 线径 μ ）， 在的 片晶圆天扩 片/月调整1 2 / HotRod 由 万片月 厚度，同时将现有 用于 凸点加 新增5 万片/ /月调整2000片 3000 片/月 可容纳600 年封装测试39.24 亿只的 以及12 英寸晶 仅增加生产设备台数 能到1540 片晶圆/天， 2 / 万片/月进行 2.1 生产规模 万片月 提升到 万 背金工艺中晶圆背 工；在“封装测试项目” 月 /月进行LBC3/4 进行 人同时就餐 生产能力。 圆级芯片尺寸 扩大产能，投片量由 封装测试产能将由现 MEMS芯片 片月/ 面粗糙化环节的产 现有QFN 产品产能 V-diode 13 / 2.1 / 5 13.06 / 芯片生产 芯 封装 亿只 万片月提升到 万 在的 亿只季度 生产 能进行提升，但蕞 中，调整272 百万颗/ 片生产 年的生产规 片月。同时，调整各/ 扩能到32.5亿只季/ 8 HotRod 终产品 英寸晶圆 年用于含 制 模。 种类型产品的比例。 度。 的产能不会增加。 程的QFN 产品的生 产，不新增产能。 分两 阶段分别于 完成土建工 2013年4 月 2014 年8 月 2014 年4 月 2008年9 月 2013年4 月 2015 年4 月和2017 年5 正在进行环境影响评 实施情况 程后停止实 停止实施 通过环保验 通过环保验 通过环保验 正在建设 正在建设 正在建设 正在建设 通过环保验收 通过环保验收 月完成竣工环境保护验 价 施 收 收 收 收。 成都高新区环境保护 环评批复 原国家环保总 原四川环保 成都高新区城市管 成都高新区城市管理和环境保护局 四川省环境保护厅 与城市综合管理执法 / 机关 局 局 理和环境保护局 局 成高环字 环评批复 环审[2005] 川环建函 成高环函 成高环字 成高环字 成高环字 成高环字 成高环字[2017]133 [2013]171 成高环字[2013]549 号 川环审批[2015]347 号 成高环字[2017]322 号 / 文件 1011号 [2008]426 号 [2009]25 号 [2011]183 号 [2012]154 号 [2013]102号 [2015]188号 号 号 环评批复 2005 12 2008 5 2009 4 2011 9 2012 5 2013 2 2013 4 2013 11 20 2015 5 2015 7 2017 4 2017 9 / 年 月 年 月 年 月 年 月 年 月 年 月 年 月 年 月 日 年 月 年 月 年 月 年 月 时间 竣工验收 环境保护部 成都高新区城市管理和环境保护局 尚未验收 尚未验收 尚未验收 尚未验收 / 批复机关 成高环字 成高环字 成高环字 竣工验收 环验[2008]190 停止实施 停止实施 成高环字 成高环字 成高环字 [2014]151 [2015]183 [2017]195 尚未验收 尚未验收 尚未验收 尚未验收 / 批复文件 号 [2013]184 号 [2013]183 号 [2014]379号 号 号 号 竣工验收 2015年4 2008 9 2013 4 2013 4 2014 8 2014 4 2017 5 / 年 月 年 月 年 月 年 月 年 月 年 月 尚未验收 尚未验收 尚未验收 尚未验收 批复时间 月 15 II 现有工程建设内容与项目组成 （1）集成电路制造厂区 现有集成电路制造厂建构筑情况如表2.1-3所示。 表2.1-3 现有集成电路制造厂建筑情况 2 2 编号 项目名称 层数 占地面积(m ) 建筑面积(m ) OS5 办公楼 7 6823.70 40136.70 FabA 芯片生产厂房 3 11434.00 39876.00 PS4a 变电站 4 932.30 2625.30 PS4b 柴油机房 1 1176.00 1372.00 CUB5c 动力厂房 3 3327.00 10983.00 CW5 化学品库 1 2076.60 2076.60 SIH4 硅烷房 1 213.00 213.00 OPH 油泵房 1 18.00 18.00 OW 油库 1 360.00 RH 废物库 1 1000 1000 GH2 2#门卫 1 19.60 19.60 GH3 3#门卫 1 15.00 15.00 1# 1#连廊 224.00 2# 2#连廊 728.00 自行车棚 1 504.00 504.00 GASYARD 气体站 1 4097.00 769.00 FabB 芯片生产厂房 3 12827.01 44163.17 CUB5d 动力厂房 3 3360.25 11410.11 3#4#连廊 611.2 德州仪器集成电路制造厂现有工程项目组成情况见下表。 表2.1-4 现有集成电路制造厂建设内容一览表 序号 工 程 项 目 现有工程建设内容 （一）生产厂房
Java软件开发工程师简历模板包装教学问题完整版.doc
2021年离婚协议书蕞全范本.doc
完整版GCP考试题库及参考答案合集.pdf
2020新版GCP试题及答案.docx
JJF 1033-2016 计量标准考核规范.pdf
GB T 32610-2016_日常防护型口罩技术规范_高清版_可检索.pdf
小学生必背古诗75首---方便打印版.pdf
高中数学-圆锥曲线常用的二级结论.doc
食品经营操作流程图-标准版.doc
原创力文档创建于2008年，本站为文档C2C交易模式，即用户上传的文档直接分享给其他用户（可下载、阅读），本站只是中间服务平台，本站所有文档下载所得的收益归上传人所有。原创力文档是网络服务平台方，若您的权利被侵害，侵权客服 电线) 欢迎举报，上传者
工信部备案号：蜀ICP备08101938号-1
ICP经营许可证/EDI许可证：川B2-20180569
版权声明：本文由德州厂房网发布，如需转载请注明出处。部份内容收集于网络，如有不妥之处请联系我们删除 400-0123-021 或 13391219793
